近日，美国工程院院士、加州大学圣芭芭拉分校JohnBowers教授率领的光电研究团队研发出可必要调制的硅上量子点微型激光器。据报，该激光器通过外延生长，构建在与CMOS工艺相容的硅晶圆上。利用量子点特有的衬底缺失影响、侧壁非电磁辐射填充影响被增大的出色性能，并通过缓冲器层的优化以增加III－V族材料与硅晶圆界面的晶格密度，该课题组在不存在着偏移畴、晶格失配和热膨胀系数有所不同等极大差异的异质生长材料体系上构建了出色的激光器性能：1．3μm通讯波段的单模激射、同时兼备103K特征温度的高温工作环境稳定性及3mA的较低阈值电流、6．5GHz的3dB比特率。

利用量子点不具备的侧壁非电磁辐射填充影响被增大的出色性能，该研究基于将扰环谐振腔与量子点结合的新型激光器构架的设想，在硅上外延生长小型电抽运量子点激光器，并通过简单的工艺流程有效地解决问题了电极金属化受到微型尺寸腔容许的问题、回音壁模式（WGM）在工艺过程中的缺失引起的光学损耗问题。美国构建光子生产创意中心副主任JohnBowers教授回应，该项工作对在硅衬底上必要生长III－V元素的外延工艺向替代传统的晶圆黏合工艺的发展迈进了最重要一步，未来将会构建大规模生产的同时降低成本，增大尺寸，增大功耗。

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